alagútdióda
(Esaki dióda)

Felfedezőjéről, Leo Esakiról, Esaki diódának is nevezik.
Vastag bevonattal ellátott, félvezető érintkező dióda, amelyben az érintkező/csatlakozó terület nagyon vékony.
Egy erősen szennyezett (adalékolt) germánium kristályban vékony p-n réteget alakítanak, ki ahol az intenzív töltéshordozó diffúziója miatt rendkívül keskeny záróréteg jön létre. A diódákon általában akkor folyik csak áram, ha a külső nyitóirányú potenciál túllépi a diffúziós feszültséget.

Az alagútdióda feszültség - áram jelleggörbéje.

Az alagútdiódánál egész kis feszültségeknél is már meredeken nő az áram, mert az elektronok a nagyon keskeny potenciálgáton alagúteffektussal át tudnak jutni.
Az áram a feszültség növelésével maximumot ér el, majd az alagúteffektus csökkenése miatt egyre kisebb lesz, és egy minimum elérése után a szokásos nyitóirányú karakterisztika áll elő.
Nagyfrekvenciájú erősítőkben és oszcillátorokban használják a GHz-es frekvenciatartományokban.

Alagútdióda egy integrált áramkörben

Felhasznált irodalom