memrisztor
(memristor, memory resistor,
memória rezisztor, emlékező ellenállás)

Memory resistor (memória rezisztor - emlékező ellenállás)
Abban különbözik jelentősen a többi áramköri elemtől, hogy az áram kikapcsolása után "emlékezik" arra milyen erős volt a rajta átfolyó áram és továbbra is megtartja az ellenállását. Ezt a többi áramköri alapelem semmiféle kombinációjával nem lehet reprodukálni, a memrisztor áramköri alapelem.

A Berkeley Egyetem kutatómérnöke, Leon Chua 1971-ben megjósolta, hogy létezik egy negyedik áramköri alapelem, amely a rajta átfolyó áram erősségétől és irányától függően változtatja az ellenállását, és ezt az áram kikapcsolása után is megőrzi.
Ebből kiindulva aHP Labs kutatói fejlesztették ki.
A fehér festékek pigmentjeként használt titán-dioxidot alkalmaztak a memrisztor létrehozásához. Ez a szilíciumhoz hasonlóan félvezető, tiszta állapotban nagy az ellenállása, más anyagokkal szennyezve azonban vezetővé válik. Benne a szennyezők az áram folyásával egyező irányba sodródnak. Ez a viselkedés egy tranzisztor esetében nemkívánatos, a memrisztor viszont éppen ettől működik.
Ha egy vékony titán-dioxid-réteg egyik oldalára feszültséget adnak, a szennyezők az anyag belsejébe áramolnak, csökkentve az ellenállást. A másik oldalra feszültséget adva a szennyezők visszamennek az eredeti helyükre, és az ellenállás nő.

Felhasználásával a jelenleginél sokkal gyorsabb és olcsóbb nem-felejtő memóriák gyárthatók.
Hosszabb távon pedig az emberi agyhoz hasonló áramkörök létrehozását teszi majd lehetővé.

Felhasznált irodalom